Исследователям из США удалось получить новую аллотропную модификацию кремния, которая характеризуется запрещённой энергетической зоной с прямыми переходами.
Новая аллотропная модификация в перспективе сможет стать весьма полезной для изготовления новых солнечных батарей и светоизлучающих диодов – она комбинирует способность к светопоглощению материалов, подобных арсениду галлия и легкость обработки традиционного обычного кремния.
Несмотря на то, что предложенная схема синтеза новой модификации кремния пока еще требует больших затрат времени и иных ресурсов, исследователи надеются на то, что в скором времени синтез новой аллотропной модификации кремния удастся модифицировать и получать достаточные количества для производства фотогальванических устройств нового типа.
Кремний является основой для современной электронной промышленности, однако обычная алмазоподобная аллотропная модификация кремния с кубической кристаллической решеткой характеризуется запрещённой зоной с непрямыми переходами, что означает невозможность перехода электрона между валентными и проводящими электронными уровнями при простом поглощении фотона – для сохраняющегося импульса также необходимо поглощение фонона. Эта особенность электронного строения приводит к том
...
Читать дальше »
